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<?xml-stylesheet type="text/xsl" href="https://community.element14.com/cfs-file/__key/system/syndication/rss.xsl" media="screen"?><rss version="2.0" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"><channel><title>铁电存储器的主要技术特点</title><link>https://community.element14.com/technologies/power-management/w/documents/7387/page</link><description /><dc:language>en-US</dc:language><generator>Telligent Community 12</generator><item><title>铁电存储器的主要技术特点</title><link>https://community.element14.com/technologies/power-management/w/documents/7387/page</link><pubDate>Thu, 07 Oct 2021 07:13:05 GMT</pubDate><guid isPermaLink="false">93d5dcb4-84c2-446f-b2cb-99731719e767:7562dc89-4d2e-4e3e-93f8-557dcbf89915</guid><dc:creator>scarletnet</dc:creator><comments>https://community.element14.com/technologies/power-management/w/documents/7387/page#comments</comments><description>Current Revision posted to Documents by scarletnet on 10/7/2021 7:13:05 AM&lt;br /&gt;
&lt;p style="margin:0;"&gt;&amp;nbsp;&amp;nbsp;&amp;nbsp;&amp;nbsp;&amp;nbsp; 电能表经过一个世纪多的演进：由机械式电表到今日的各种不同型式的电子电能表，包含新的预付费电能表 复费率电能表 以及具有双向通讯能力的电子式电能表等，其提供的扩展功能包括：自动读表(AMR)、线上查询、远程连接/断开，以及复杂的计费结构等等。这些电能表还可让使用者对其耗电量有更好的控制，以便节省电费及更有效地分配用电量。&lt;/p&gt;&lt;p style="margin:0;"&gt;如图1所示，电子电能表的基本架构包括下列各主要功能模块：电压电流取样电路；16位以上分辨率的ADC；计量与控制单元；通信接口；操作界面；显示器；存储器。本文将以存储器为重点说明为何电子式电能表需要使用铁电存储器(F-RAM)。&lt;/p&gt;&lt;p style="margin:0;"&gt;&lt;strong&gt; 铁电存储器的技术特点&lt;/strong&gt;&lt;/p&gt;&lt;p style="margin:0;"&gt;首先要说明的是铁电存储器和浮动栅存储器的技术差异。现有闪存和EEPROM都是采用浮动栅技术，浮动栅存储单元包含一个电隔离门，浮动栅位于标准控制栅的下面及通道层的上面。浮动栅是由一个导电材料，通常是多芯片硅层形成的 (如图2所示)。浮动栅存储单元的信息存储是通过保存浮动栅内的电荷而完成的。利用改变浮动栅存储单元的电压就能达到电荷添加或擦除的动作，从而确定存储单元是在 ”1”或“0” 的状态。但是浮动栅技术需使用电荷泵来产生高电压，迫使电流通过栅氧化层而达到擦除的功能，因此需要5-10ms的擦写延迟。高写入功率和长期的写操作会破坏浮动栅存储单元，从而造成有限的擦写存储次数（例如：闪存约十万次，而EEPROM则约1百万次)。&lt;/p&gt;&lt;p style="margin:0;"&gt;铁电存储器是一种特殊工艺的非易失性的存储器，是采用人工合成的铅锆钛(PZT) 材料形成存储器结晶体，如图3所示。当一个电场被施加到铁晶体管时，中心原子顺着电场停在低能量状态I位置，反之，当电场反转被施加到同一铁晶体管时，中 心原子顺着电场的方向在晶体里移动并停在另一低能量状态II。大量中心原子在晶体单胞中移动耦合形成铁电畴，铁电畴在电场作用下形成极化电荷。铁电畴在电 场下反转所形成的极化电荷较高，铁电畴在电场下无反转所形成的极化电荷较低，这种铁电材料的二元稳定状态使得铁电可以作为存储器。&lt;/p&gt;&lt;p style="margin:0;"&gt;&lt;a href="http://www.eefocus.com/data/10-10/9327017101011/1287313136_92787356.jpg" name="97821dimg" rel="nofollow ugc noopener" target="_blank"&gt;&lt;img alt="image" border="0" name="imgddiv97821" src="http://www.eefocus.com/include/picture/500/400/data/10-10/9327017101011/1287313136_92787356.jpg"  /&gt;&lt;/a&gt;&lt;/p&gt;&lt;p style="margin:0;"&gt;图1、电子电能表的基本电路方块图。&lt;/p&gt;&lt;p style="margin:0;"&gt;&lt;a href="http://www.eefocus.com/data/10-10/9327017101011/1287313139_321a3e10.jpg" name="97822dimg" rel="nofollow ugc noopener" target="_blank"&gt;&lt;img loading="lazy" alt="image" border="0" name="imgddiv97822" src="http://www.eefocus.com/include/picture/500/400/data/10-10/9327017101011/1287313139_321a3e10.jpg"  /&gt;&lt;/a&gt;&lt;br /&gt;图2、浮动栅存储单元&lt;/p&gt;&lt;p style="margin:0;"&gt;&lt;a href="http://www.eefocus.com/data/10-10/9327017101011/1287313142_adccb539.jpg" name="97823dimg" rel="nofollow ugc noopener" target="_blank"&gt;&lt;img loading="lazy" alt="image" border="0" name="imgddiv97823" src="http://www.eefocus.com/include/picture/500/400/data/10-10/9327017101011/1287313142_adccb539.jpg"  /&gt;&lt;/a&gt;&lt;br /&gt;图3、铁电存储器结晶单元。&lt;/p&gt;&lt;p style="margin:0;"&gt;特别是当移去电场后，中心原子处于低能量状态保持不动，存储器的状态也得以保存不会消失，因此可利用铁电畴在电场下反转形成高极化电荷，或无反转形成低极化电荷来判别存储单元是在 ”1”或 “0” 状态。铁电畴的反转不需要高电场，仅用一般的工作电压就可以改变存储单元是在 ”1”或 “0” 的状态；也不需要电荷泵来产生高电压数据擦除，因而没有擦写延迟的现象。这种特性使铁电存储器在掉电后仍能够继续保存数据，写入速度快且具有无限次写入寿命，不容易写坏。所以，与闪存和EEPROM 等较早期的非易失性内存技术比较，铁电存储器具有更高的写入速度和更长的读写寿命。&lt;/p&gt;&lt;div style="clear:both;"&gt;&lt;/div&gt;

&lt;div style="font-size: 90%;"&gt;Tags: f-ram, ramtron&lt;/div&gt;
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